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SNSS30201MR6T1G

SNSS30201MR6T1G onsemi

NSS30201MR6T1G-D.PDF Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 30V 2A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: 6-TSOP
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 535 mW
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Technische Details SNSS30201MR6T1G onsemi

Description: TRANS NPN 30V 2A 6TSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 100mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 5V, Frequency - Transition: 300MHz, Supplier Device Package: 6-TSOP, Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V, Power - Max: 535 mW.

Weitere Produktangebote SNSS30201MR6T1G nach Preis ab 0.12 EUR bis 0.74 EUR

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SNSS30201MR6T1G SNSS30201MR6T1G Hersteller : onsemi NSS30201MR6T1G-D.PDF Description: TRANS NPN 30V 2A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: 6-TSOP
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 535 mW
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SNSS30201MR6T1G Hersteller : onsemi NSS30201MR6T1G_D-2318373.pdf Bipolar Transistors - BJT SSP LOW VCES 30V NPN XTR
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