SMMBT2907ALT3G ON Semiconductor
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Technische Details SMMBT2907ALT3G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - SMMBT2907ALT3G - BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -60V, SOT-23-3, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Surface Mount, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 0, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 0, MSL: MSL 1 - Unlimited, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 0, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 0, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 200MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, directShipCharge: 25, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote SMMBT2907ALT3G nach Preis ab 0.042 EUR bis 0.44 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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SMMBT2907ALT3G | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
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SMMBT2907ALT3G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS PNP 60V 0.6A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 300 mW |
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SMMBT2907ALT3G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
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SMMBT2907ALT3G | Hersteller : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT SS GP XSTR SPCL TR |
auf Bestellung 115095 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SMMBT2907ALT3G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS PNP 60V 0.6A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 300 mW |
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SMMBT2907ALT3G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - SMMBT2907ALT3G - BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -60V, SOT-23-3 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Surface Mount rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 0 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 0 MSL: MSL 1 - Unlimited usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 0 Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 0 productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C directShipCharge: 25 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 6732 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SMMBT2907ALT3G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
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SMMBT2907ALT3G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
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SMMBT2907ALT3G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
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SMMBT2907ALT3G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
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