SMCJ51AHE3_A/H Vishay General Semiconductor
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Technische Details SMCJ51AHE3_A/H Vishay General Semiconductor
Description: TVS DIODE 51VWM 82.4VC DO214AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-214AB, SMC, Mounting Type: Surface Mount, Type: Zener, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Current - Peak Pulse (10/1000µs): 18.2A, Voltage - Reverse Standoff (Typ): 51V, Supplier Device Package: DO-214AB (SMCJ), Unidirectional Channels: 1, Voltage - Breakdown (Min): 56.7V, Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 82.4V, Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW), Power Line Protection: No, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Weitere Produktangebote SMCJ51AHE3_A/H
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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SMCJ51AHE3_A/H | Hersteller : Vishay |
 TVS Diode Single Uni-Dir 51V 1.5KW Automotive AEC-Q101 2-Pin SMC T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SMCJ51AHE3_A/H | Hersteller : Vishay |
TVS Diode Single Uni-Dir 51V 1.5KW Automotive 2-Pin SMC T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SMCJ51AHE3_A/H | Hersteller : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: TVS DIODE 51VWM 82.4VC DO214AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AB, SMC Mounting Type: Surface Mount Type: Zener Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Current - Peak Pulse (10/1000µs): 18.2A Voltage - Reverse Standoff (Typ): 51V Supplier Device Package: DO-214AB (SMCJ) Unidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 56.7V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 82.4V Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW) Power Line Protection: No Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
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