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SMBTA06E6327HTSA1

SMBTA06E6327HTSA1 Infineon Technologies

smbta06_mmbta06.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details SMBTA06E6327HTSA1 Infineon Technologies

Description: TRANS NPN 80V 0.5A SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: PG-SOT23, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 330 mW.

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SMBTA06E6327HTSA1 SMBTA06E6327HTSA1 Hersteller : Infineon Technologies smbta06_mmbta06.pdf Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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SMBTA06E6327HTSA1 SMBTA06E6327HTSA1 Hersteller : Infineon Technologies smbta06_mmbta06.pdf?folderId=db3a304314dca389011545f4eb561884&fileId=db3a304314dca3890115478ecca71a2d Description: TRANS NPN 80V 0.5A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 330 mW
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Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 330 mW
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SMBTA06E6327HTSA1 SMBTA06E6327HTSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_SMBTA06_MMBTA06_DS_v01_01_en-1227652.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN 80 V 500 mA
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