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SMBTA 06 E6327

SMBTA 06 E6327 Infineon Technologies

Infineon_SMBTA06_MMBTA06_DS_v01_01_en-1227652.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Bipolar Transistors - BJT NPN 80 V 500 mA
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Technische Details SMBTA 06 E6327 Infineon Technologies

Category: NPN SMD transistors, Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 0.1A; 0.33W; SOT23, Type of transistor: NPN, Polarisation: bipolar, Collector-emitter voltage: 80V, Collector current: 0.1A, Power dissipation: 0.33W, Case: SOT23, Mounting: SMD, Frequency: 100MHz, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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SMBTA 06 E6327 Hersteller : Infineon Technologies Транзистор NPN; Uceo, В = 80; Ic = 500 мА; ft, МГц = 100; hFE = 100 @ Ic = 100 mA, Vce = 1 V; Icutoff-max = 100 нА; Р, Вт = 0,3 Вт; Тексп, °C = -65...150; Тип монт. = smd; SOT-23-3
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SMBTA06E6327 SMBTA06E6327 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES SMBTA06E6327.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 0.1A; 0.33W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 100MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SMBTA06E6327 SMBTA06E6327 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES SMBTA06E6327.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 0.1A; 0.33W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
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