SMBT2907AE6327HTSA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesTrans GP BJT PNP 60V 0.6A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 39000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 3000+ | 0.054 EUR |
| 9000+ | 0.052 EUR |
| 24000+ | 0.05 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details SMBT2907AE6327HTSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - SMBT2907AE6327HTSA1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 600 mA, 330 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 600mA, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 330mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 200MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote SMBT2907AE6327HTSA1 nach Preis ab 0.05 EUR bis 0.51 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SMBT2907AE6327HTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 39000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
|
|
SMBT2907AE6327HTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 26390 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
|
|
SMBT2907AE6327HTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 26390 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
 |
SMBT2907AE6327HTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Bipolar Transistors - BJT AF GP BJT PNP 60V 0.6A |
auf Bestellung 57155 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
 |
SMBT2907AE6327HTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: TRANS PNP 60V 0.6A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 330 mW |
auf Bestellung 931 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
 |
SMBT2907AE6327HTSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - SMBT2907AE6327HTSA1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 600 mA, 330 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 600mA MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 330mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 15907 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||||
|
|
SMBT2907AE6327HTSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - SMBT2907AE6327HTSA1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 600 mA, 330 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 600mA MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 330mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 15907 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||||
 |
SMBT2907AE6327HTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 330mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 36000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||||
| SMBT2907AE6327HTSA1 | Hersteller : Infineon |
|
auf Bestellung 39000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
||||||||||||||||||||
|
|
SMBT2907AE6327HTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||||
 |
SMBT2907AE6327HTSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.33W; SOT23 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.33W Case: SOT23 Mounting: SMD Frequency: 200MHz Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||||
|
|
SMBT2907AE6327HTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: TRANS PNP 60V 0.6A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 330 mW |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||||
|
|
SMBT2907AE6327HTSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.33W; SOT23 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.33W Case: SOT23 Mounting: SMD Frequency: 200MHz |
Produkt ist nicht verfügbar |