SMA4F30AH TAIWAN SEMICONDUCTOR
Hersteller: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - SMA4F30AH - TVS-Diode, Unidirektional, 30 V, 48.7 V, Thin SMA, 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Thin SMA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 33.5V
Qualifikation: AEC-Q101
Durchbruchspannung, max.: 37.1V
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 30V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 400W
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Klemmspannung, max.: 48.7V
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - SMA4F30AH - TVS-Diode, Unidirektional, 30 V, 48.7 V, Thin SMA, 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Thin SMA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
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Durchbruchspannung, min.: 33.5V
Qualifikation: AEC-Q101
Durchbruchspannung, max.: 37.1V
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 30V
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Spitzenimpulsverlustleistung: 400W
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Klemmspannung, max.: 48.7V
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 2270 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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Technische Details SMA4F30AH TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - SMA4F30AH - TVS-Diode, Unidirektional, 30 V, 48.7 V, Thin SMA, 2 Pin(s), tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: Thin SMA, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Durchbruchspannung, min.: 33.5V, Qualifikation: AEC-Q101, Durchbruchspannung, max.: 37.1V, usEccn: EAR99, Sperrspannung: 30V, euEccn: NLR, Spitzenimpulsverlustleistung: 400W, TVS-Polarität: Unidirektional, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Klemmspannung, max.: 48.7V, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote SMA4F30AH
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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SMA4F30AH | Hersteller : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - SMA4F30AH - TVS-Diode, Unidirektional, 30 V, 48.7 V, Thin SMA, 2 Pin(s) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: Thin SMA rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchbruchspannung, min.: 33.5V Qualifikation: AEC-Q101 Durchbruchspannung, max.: 37.1V usEccn: EAR99 Sperrspannung: 30V euEccn: NLR Spitzenimpulsverlustleistung: 400W TVS-Polarität: Unidirektional Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Klemmspannung, max.: 48.7V SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 2270 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SMA4F30AH | Hersteller : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Category: Unidirectional SMD transil diodes Description: Diode: TVS; 400W; 33.5÷37.1V; 8.2A; unidirectional; ±5%; SMA flat Type of diode: TVS Mounting: SMD Max. off-state voltage: 30V Semiconductor structure: unidirectional Case: SMA flat Max. forward impulse current: 8.2A Leakage current: 1µA Kind of package: reel; tape Breakdown voltage: 33.5...37.1V Tolerance: ±5% Peak pulse power dissipation: 0.4kW Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| SMA4F30AH | Hersteller : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Category: Unidirectional SMD transil diodes Description: Diode: TVS; 400W; 33.5÷37.1V; 8.2A; unidirectional; ±5%; SMA flat Type of diode: TVS Mounting: SMD Max. off-state voltage: 30V Semiconductor structure: unidirectional Case: SMA flat Max. forward impulse current: 8.2A Leakage current: 1µA Kind of package: reel; tape Breakdown voltage: 33.5...37.1V Tolerance: ±5% Peak pulse power dissipation: 0.4kW |
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