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SM8S30ATHE3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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Description: TVS DIODE 30VWM 48.4VC DO218AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-218AC
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 136A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 30V
Supplier Device Package: DO-218AC
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 33.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 48.4V
Power - Peak Pulse: 6600W (6.6kW)
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
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Technische Details SM8S30ATHE3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: VISHAY - SM8S30ATHE3/I - TVS-Diode, PAR, Unidirektional, 30 V, 48.4 V, DO-218AC, 2 Pin(s), tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: DO-218AC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Durchbruchspannung, min.: 33.3V, Qualifikation: AEC-Q101, Durchbruchspannung, max.: 36.8V, usEccn: EAR99, Sperrspannung: 30V, euEccn: NLR, Spitzenimpulsverlustleistung: 6.6kW, TVS-Polarität: Unidirektional, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: PAR, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Klemmspannung, max.: 48.4V, SVHC: Lead (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote SM8S30ATHE3/I nach Preis ab 2.6 EUR bis 4.86 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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SM8S30ATHE3/I | Hersteller : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-218AC Mounting Type: Surface Mount Type: Zener Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Current - Peak Pulse (10/1000µs): 136A Voltage - Reverse Standoff (Typ): 30V Supplier Device Package: DO-218AC Unidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 33.3V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 48.4V Power - Peak Pulse: 6600W (6.6kW) Power Line Protection: No Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 |
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SM8S30ATHE3/I | Hersteller : Vishay General Semiconductor |
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SM8S30ATHE3/I | Hersteller : VISHAY |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-218AC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchbruchspannung, min.: 33.3V Qualifikation: AEC-Q101 Durchbruchspannung, max.: 36.8V usEccn: EAR99 Sperrspannung: 30V euEccn: NLR Spitzenimpulsverlustleistung: 6.6kW TVS-Polarität: Unidirektional Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: PAR productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Klemmspannung, max.: 48.4V SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
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SM8S30ATHE3/I | Hersteller : VISHAY |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-218AC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchbruchspannung, min.: 33.3V Qualifikation: AEC-Q101 Durchbruchspannung, max.: 36.8V usEccn: EAR99 Sperrspannung: 30V euEccn: NLR Spitzenimpulsverlustleistung: 6.6kW TVS-Polarität: Unidirektional Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: PAR productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Klemmspannung, max.: 48.4V SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 739 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SM8S30ATHE3/I | Hersteller : Vishay |
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