SKW30N60FKSA1 Infineon Technologies
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Technische Details SKW30N60FKSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT 600V 41A 250W TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 400 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: PG-TO247-3-1, IGBT Type: NPT, Td (on/off) @ 25°C: 44ns/291ns, Switching Energy: 1.29mJ, Test Condition: 400V, 30A, 11Ohm, 15V, Gate Charge: 140 nC, Part Status: Last Time Buy, Current - Collector (Ic) (Max): 41 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 112 A, Power - Max: 250 W.
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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SKW30N60FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 41A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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SKW30N60FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 41A 250000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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SKW30N60FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IGBT 600V 41A 250W TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 400 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 IGBT Type: NPT Td (on/off) @ 25°C: 44ns/291ns Switching Energy: 1.29mJ Test Condition: 400V, 30A, 11Ohm, 15V Gate Charge: 140 nC Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 41 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 112 A Power - Max: 250 W |
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SKW30N60FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies | IGBT Transistors INDUSTRY 14 |
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