SISS63DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 35.1/127.5A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.1A (Ta), 127.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 236 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7080 pF @ 10 V
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
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Technische Details SISS63DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SISS63DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 127.5 A, 0.0022 ohm, PowerPAK 1212-8S, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 127.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 65.8W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8S, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen III, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm, SVHC: Lead (10-Jun-2022).
Weitere Produktangebote SISS63DN-T1-GE3 nach Preis ab 0.65 EUR bis 1.59 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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SISS63DN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 20V 35.1/127.5A PPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8S Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.1A (Ta), 127.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 236 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7080 pF @ 10 V |
auf Bestellung 39765 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SISS63DN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFETs P-CHANNEL 20V PowerPAK 1212-8S |
auf Bestellung 68586 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SISS63DN-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SISS63DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 127.5 A, 0.0022 ohm, PowerPAK 1212-8S, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 127.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 65.8W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8S Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen III productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 15426 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SISS63DN-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SISS63DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 127.5 A, 0.0022 ohm, PowerPAK 1212-8S, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 127.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 65.8W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8S Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen III productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 15426 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SISS63DN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
P Channel MOSFET |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| SISS63DN-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -102A; Idm: -200A Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -102A Pulsed drain current: -200A Power dissipation: 42.1W Case: PowerPAK® 1212-8 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 236nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| SISS63DN-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -102A; Idm: -200A Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -102A Pulsed drain current: -200A Power dissipation: 42.1W Case: PowerPAK® 1212-8 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 236nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
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