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SISHA10DN-T1-GE3

SISHA10DN-T1-GE3 Vishay / Siliconix

Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFET 30V N-CHANNEL (D-S) FAST SWITC
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Technische Details SISHA10DN-T1-GE3 Vishay / Siliconix

Description: VISHAY - SISHA10DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 A, 0.0028 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 39W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 39W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pins, Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0028ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm.

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SISHA10DN-T1-GE3 SISHA10DN-T1-GE3 Hersteller : VISHAY 2816257.pdf Description: VISHAY - SISHA10DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 A, 0.0028 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
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Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
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SISHA10DN-T1-GE3 SISHA10DN-T1-GE3 Hersteller : VISHAY Description: VISHAY - SISHA10DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 A, 0.0028 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 39W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
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Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0028ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm
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SISHA10DN-T1-GE3 SISHA10DN-T1-GE3 Hersteller : Vishay sisha10dn.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin PowerPAK 1212-SH EP T/R
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SISHA10DN-T1-GE3 Hersteller : VISHAY SISHA10DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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