SISH472DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
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Technische Details SISH472DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 20A; Idm: 50A; 18W, Kind of package: reel; tape, Drain-source voltage: 30V, Drain current: 20A, On-state resistance: 12.4mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 18W, Polarisation: unipolar, Technology: TrenchFET®, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: 50A, Gate charge: 30nC, Mounting: SMD, Case: PowerPAK® 1212-8, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote SISH472DN-T1-GE3 nach Preis ab 0.62 EUR bis 1.16 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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SISH472DN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
 MOSFET 30V Vds; +/-20V Vgs PowerPAK 1212-8SH |
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| SISH472DN-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 20A; Idm: 50A; 18W Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 30V Drain current: 20A On-state resistance: 12.4mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 18W Polarisation: unipolar Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 50A Gate charge: 30nC Mounting: SMD Case: PowerPAK® 1212-8 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SISH472DN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V POWERPAK 1212 |
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| SISH472DN-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 20A; Idm: 50A; 18W Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 30V Drain current: 20A On-state resistance: 12.4mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 18W Polarisation: unipolar Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 50A Gate charge: 30nC Mounting: SMD Case: PowerPAK® 1212-8 |
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