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SISC06DN-T1-GE3 Vishay Semiconductors
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Technische Details SISC06DN-T1-GE3 Vishay Semiconductors
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 30V; 40A, Type of transistor: N-MOSFET + Schottky, Technology: TrenchFET®, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 30V, Drain current: 40A, Pulsed drain current: 100A, Power dissipation: 29.6W, Case: PowerPAK® 1212-8, Gate-source voltage: -16...20V, On-state resistance: 4mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 58nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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SISC06DN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
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auf Bestellung 2415 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SISC06DN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
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auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SISC06DN-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 30V; 40A Type of transistor: N-MOSFET + Schottky Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 40A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 29.6W Case: PowerPAK® 1212-8 Gate-source voltage: -16...20V On-state resistance: 4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 58nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SISC06DN-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 30V; 40A Type of transistor: N-MOSFET + Schottky Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 40A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 29.6W Case: PowerPAK® 1212-8 Gate-source voltage: -16...20V On-state resistance: 4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 58nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
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