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SISC06DN-T1-GE3

SISC06DN-T1-GE3 Vishay Semiconductors


sisc06dn-1764049.pdf Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
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Technische Details SISC06DN-T1-GE3 Vishay Semiconductors

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 30V; 40A, Type of transistor: N-MOSFET + Schottky, Technology: TrenchFET®, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 30V, Drain current: 40A, Pulsed drain current: 100A, Power dissipation: 29.6W, Case: PowerPAK® 1212-8, Gate-source voltage: -16...20V, On-state resistance: 4mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 58nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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SISC06DN-T1-GE3 SISC06DN-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix sisc06dn.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 27.6A/40A PPAK
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SISC06DN-T1-GE3 SISC06DN-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix sisc06dn.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 27.6A/40A PPAK
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SISC06DN-T1-GE3 Hersteller : VISHAY sisc06dn.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 30V; 40A
Type of transistor: N-MOSFET + Schottky
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 29.6W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 58nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SISC06DN-T1-GE3 Hersteller : VISHAY sisc06dn.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 30V; 40A
Type of transistor: N-MOSFET + Schottky
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 29.6W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 58nC
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