SISB46DN-T1-GE3 Vishay Semiconductors
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Technische Details SISB46DN-T1-GE3 Vishay Semiconductors
Description: VISHAY - SISB46DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 34 A, 34 A, 0.0097 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 34A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 34A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0097ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 23W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET IV Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0097ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 23W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (10-Jun-2022).
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SISB46DN-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
 Description: VISHAY - SISB46DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 34 A, 34 A, 0.0097 ohmtariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 34A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 34A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0097ohm Verlustleistung, p-Kanal: 23W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET IV Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0097ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 23W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
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SISB46DN-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SISB46DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 34 A, 34 A, 0.0097 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 34A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 34A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0097ohm Verlustleistung, p-Kanal: 23W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET IV Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0097ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 23W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 10933 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SISB46DN-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 40V; 27.3A; Idm: 70A Mounting: SMD Case: PowerPAK® 1212-8 Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 40V Drain current: 27.3A On-state resistance: 15.8mΩ Type of transistor: N-MOSFET x2 Power dissipation: 14.8W Polarisation: unipolar Gate charge: 22nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: -16...20V Pulsed drain current: 70A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SISB46DN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 40V POWERPAK 1212-8 |
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SISB46DN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 40V POWERPAK 1212-8 |
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| SISB46DN-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 40V; 27.3A; Idm: 70A Mounting: SMD Case: PowerPAK® 1212-8 Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 40V Drain current: 27.3A On-state resistance: 15.8mΩ Type of transistor: N-MOSFET x2 Power dissipation: 14.8W Polarisation: unipolar Gate charge: 22nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: -16...20V Pulsed drain current: 70A |
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