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SISA40DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
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Description: MOSFET N-CH 20V 43.7A/162A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43.7A (Ta), 162A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): +12V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3415 pF @ 10 V
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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15+ | 1.23 EUR |
17+ | 1.07 EUR |
100+ | 0.74 EUR |
500+ | 0.62 EUR |
1000+ | 0.53 EUR |
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Technische Details SISA40DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SISA40DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 162 A, 920 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 162A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 52W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 920µohm, SVHC: Lead (10-Jun-2022).
Weitere Produktangebote SISA40DN-T1-GE3 nach Preis ab 0.45 EUR bis 1.26 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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SISA40DN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
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auf Bestellung 6628 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SISA40DN-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 162A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 52W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 920µohm SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 869 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SISA40DN-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 162A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 52W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 920µohm SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 869 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SISA40DN-T1-GE3 Produktcode: 182307 |
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SISA40DN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
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SISA40DN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
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SISA40DN-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 129A; Idm: 150A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 129A Pulsed drain current: 150A Power dissipation: 33W Case: PowerPAK® 1212-8 Gate-source voltage: -8...12V On-state resistance: 42mΩ Mounting: SMD Gate charge: 53nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SISA40DN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43.7A (Ta), 162A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): +12V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3415 pF @ 10 V |
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SISA40DN-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 129A; Idm: 150A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 129A Pulsed drain current: 150A Power dissipation: 33W Case: PowerPAK® 1212-8 Gate-source voltage: -8...12V On-state resistance: 42mΩ Mounting: SMD Gate charge: 53nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
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