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SIRA84DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
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Technische Details SIRA84DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 57.8A; Idm: 130A, Drain-source voltage: 30V, Drain current: 57.8A, Case: PowerPAK® SO8, Polarisation: unipolar, On-state resistance: 7.4mΩ, Pulsed drain current: 130A, Power dissipation: 22.2W, Technology: TrenchFET®, Kind of channel: enhanced, Gate charge: 38nC, Gate-source voltage: -16...20V, Kind of package: reel; tape, Mounting: SMD, Type of transistor: N-MOSFET, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote SIRA84DP-T1-GE3 nach Preis ab 0.35 EUR bis 0.97 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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SIRA84DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay / Siliconix |
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SIRA84DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
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SIRA84DP-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 57.8A; Idm: 130A Drain-source voltage: 30V Drain current: 57.8A Case: PowerPAK® SO8 Polarisation: unipolar On-state resistance: 7.4mΩ Pulsed drain current: 130A Power dissipation: 22.2W Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate charge: 38nC Gate-source voltage: -16...20V Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SIRA84DP-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 57.8A; Idm: 130A Drain-source voltage: 30V Drain current: 57.8A Case: PowerPAK® SO8 Polarisation: unipolar On-state resistance: 7.4mΩ Pulsed drain current: 130A Power dissipation: 22.2W Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate charge: 38nC Gate-source voltage: -16...20V Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET |
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