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SIRA84DP-T1-GE3

SIRA84DP-T1-GE3 Vishay Siliconix


sira84dp.pdf Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
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Technische Details SIRA84DP-T1-GE3 Vishay Siliconix

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 57.8A; Idm: 130A, Drain-source voltage: 30V, Drain current: 57.8A, Case: PowerPAK® SO8, Polarisation: unipolar, On-state resistance: 7.4mΩ, Pulsed drain current: 130A, Power dissipation: 22.2W, Technology: TrenchFET®, Kind of channel: enhanced, Gate charge: 38nC, Gate-source voltage: -16...20V, Kind of package: reel; tape, Mounting: SMD, Type of transistor: N-MOSFET, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

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SIRA84DP-T1-GE3 SIRA84DP-T1-GE3 Hersteller : Vishay / Siliconix sira84dp-1761567.pdf MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
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SIRA84DP-T1-GE3 SIRA84DP-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix sira84dp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
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SIRA84DP-T1-GE3 Hersteller : VISHAY sira84dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 57.8A; Idm: 130A
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 57.8A
Case: PowerPAK® SO8
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 7.4mΩ
Pulsed drain current: 130A
Power dissipation: 22.2W
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate charge: 38nC
Gate-source voltage: -16...20V
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SIRA84DP-T1-GE3 Hersteller : VISHAY sira84dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 57.8A; Idm: 130A
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 57.8A
Case: PowerPAK® SO8
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 7.4mΩ
Pulsed drain current: 130A
Power dissipation: 22.2W
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate charge: 38nC
Gate-source voltage: -16...20V
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
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