SIRA54ADP-T1-RE3 Vishay Semiconductors
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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| 2+ | 2.46 EUR |
| 10+ | 2.04 EUR |
| 100+ | 1.62 EUR |
| 250+ | 1.49 EUR |
| 500+ | 1.36 EUR |
| 1000+ | 1.33 EUR |
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Technische Details SIRA54ADP-T1-RE3 Vishay Semiconductors
Description: VISHAY - SIRA54ADP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 128 A, 0.0022 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 128A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 65.7W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Weitere Produktangebote SIRA54ADP-T1-RE3 nach Preis ab 3.09 EUR bis 3.43 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||
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SIRA54ADP-T1-RE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
 Description: N-CHANNEL 40 V (D-S) MOSFET POWE |
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SIRA54ADP-T1-RE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SIRA54ADP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 128 A, 0.0022 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 128A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 65.7W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIRA54ADP-T1-RE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SIRA54ADP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 128 A, 0.0022 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 128A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 65.7W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIRA54ADP-T1-RE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: N-CHANNEL 40 V (D-S) MOSFET POWE |
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