![SIR882ADP-T1-GE3 SIR882ADP-T1-GE3](https://www.mouser.com/images/vishay/lrg/PowerPAK_SO_8_SPL.jpg)
SIR882ADP-T1-GE3 Vishay Semiconductors
auf Bestellung 20261 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
1+ | 3.77 EUR |
10+ | 3.01 EUR |
100+ | 2.62 EUR |
500+ | 2.25 EUR |
1000+ | 1.92 EUR |
3000+ | 1.81 EUR |
6000+ | 1.75 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details SIR882ADP-T1-GE3 Vishay Semiconductors
Description: VISHAY - SIR882ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.0072 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 83W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 83W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0072ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm, SVHC: Lead (19-Jan-2021).
Weitere Produktangebote SIR882ADP-T1-GE3 nach Preis ab 2.96 EUR bis 4.54 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
SIR882ADP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1975 pF @ 50 V |
auf Bestellung 23 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||
![]() |
SIR882ADP-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 83W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0072ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
auf Bestellung 16880 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||
SIR882ADP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
![]() |
auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||
![]() |
SIR882ADP-T1-GE3 Produktcode: 117690 |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar
|
||||||||||
SIR882ADP-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 60A; Idm: 80A; 83W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 60A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 83W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 60nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||
![]() |
SIR882ADP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1975 pF @ 50 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||
SIR882ADP-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 60A; Idm: 80A; 83W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 60A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 83W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 60nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
Produkt ist nicht verfügbar |