SIR872DP-T1-GE3 Vishay Semiconductors
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 1+ | 4.51 EUR |
| 10+ | 3.75 EUR |
| 100+ | 2.97 EUR |
| 500+ | 2.52 EUR |
| 1000+ | 2.16 EUR |
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Technische Details SIR872DP-T1-GE3 Vishay Semiconductors
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 53.7A; Idm: 100A, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: TrenchFET®, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 150V, Drain current: 53.7A, Pulsed drain current: 100A, Power dissipation: 104W, Case: PowerPAK® SO8, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 20mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 64nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke.
Weitere Produktangebote SIR872DP-T1-GE3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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SIR872DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 150V 53.7A PPAK SO-8 |
auf Bestellung 5455 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIR872DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 150V 53.7A PPAK SO-8 |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIR872DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 150V 53.7A 8-Pin PowerPAK SO EP |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| SIR872DP-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 53.7A; Idm: 100A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 53.7A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 104W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 20mΩ Mounting: SMD Gate charge: 64nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| SIR872DP-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 53.7A; Idm: 100A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 53.7A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 104W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 20mΩ Mounting: SMD Gate charge: 64nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
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