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SIR862DP-T1-GE3 Vishay Semiconductors
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2+ | 2.22 EUR |
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1000+ | 0.98 EUR |
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Technische Details SIR862DP-T1-GE3 Vishay Semiconductors
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 25V; 50A; Idm: 70A; 69W, Drain-source voltage: 25V, Drain current: 50A, On-state resistance: 3.5mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 69W, Polarisation: unipolar, Kind of package: reel; tape, Gate charge: 90nC, Technology: TrenchFET®, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: 70A, Mounting: SMD, Case: PowerPAK® SO8, Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke.
Weitere Produktangebote SIR862DP-T1-GE3
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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SIR862DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
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auf Bestellung 2925 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIR862DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
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SIR862DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
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SIR862DP-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 25V; 50A; Idm: 70A; 69W Drain-source voltage: 25V Drain current: 50A On-state resistance: 3.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 69W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 90nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 70A Mounting: SMD Case: PowerPAK® SO8 Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
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SIR862DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
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SIR862DP-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 25V; 50A; Idm: 70A; 69W Drain-source voltage: 25V Drain current: 50A On-state resistance: 3.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 69W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 90nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 70A Mounting: SMD Case: PowerPAK® SO8 |
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