SIR770DP-T1-GE3 Vishay Semiconductors
auf Bestellung 5885 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
2+ | 1.85 EUR |
10+ | 1.52 EUR |
100+ | 1.18 EUR |
500+ | 1 EUR |
1000+ | 0.83 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details SIR770DP-T1-GE3 Vishay Semiconductors
Category: Multi channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET x2 + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 30V; 8A, Type of transistor: N-MOSFET x2 + Schottky, Technology: TrenchFET®, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 30V, Drain current: 8A, Pulsed drain current: 35A, Power dissipation: 17.8W, Case: PowerPAK® SO8, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 25mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 21nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke.
Weitere Produktangebote SIR770DP-T1-GE3
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
---|---|---|---|---|---|
SIR770DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin PowerPAK SO T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
||
SIR770DP-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2 + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 30V; 8A Type of transistor: N-MOSFET x2 + Schottky Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 8A Pulsed drain current: 35A Power dissipation: 17.8W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 25mΩ Mounting: SMD Gate charge: 21nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
||
SIR770DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO-8 |
Produkt ist nicht verfügbar |
||
SIR770DP-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2 + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 30V; 8A Type of transistor: N-MOSFET x2 + Schottky Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 8A Pulsed drain current: 35A Power dissipation: 17.8W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 25mΩ Mounting: SMD Gate charge: 21nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
Produkt ist nicht verfügbar |