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Technische Details SIR580DP-T1-RE3 Vishay / Siliconix
Description: VISHAY - SIR580DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 146 A, 0.00215 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 146A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 104W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 104W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00215ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00215ohm, SVHC: No SVHC (19-Jan-2021).
Weitere Produktangebote SIR580DP-T1-RE3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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SIR580DP-T1-RE3 | Hersteller : VISHAY |
 Description: VISHAY - SIR580DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 146 A, 0.00215 ohm, PowerPAK SO, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 146A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 104W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00215ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00215ohm SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
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SIR580DP-T1-RE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SIR580DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 146 A, 0.00215 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 146A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 104W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00215ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00215ohm SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
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SIR580DP-T1-RE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 80V 35.8A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
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| SIR580DP-T1-RE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 146A; Idm: 300A Mounting: SMD Case: PowerPAK® SO8 Pulsed drain current: 300A Power dissipation: 104W Gate charge: 76nC Polarisation: unipolar Technology: TrenchFET® Drain current: 146A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 80V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape On-state resistance: 3.2mΩ Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
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| SIR580DP-T1-RE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 146A; Idm: 300A Mounting: SMD Case: PowerPAK® SO8 Pulsed drain current: 300A Power dissipation: 104W Gate charge: 76nC Polarisation: unipolar Technology: TrenchFET® Drain current: 146A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 80V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape On-state resistance: 3.2mΩ |
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