SIR5211DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 20 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.2A (Ta), 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6700 pF @ 10 V
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Technische Details SIR5211DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SIR5211DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 105 A, 0.00252 ohm, PowerPAK SO-8S, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 105A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 56.8W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8S, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen V Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00252ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote SIR5211DP-T1-GE3 nach Preis ab 0.66 EUR bis 1.51 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt | ||||||||||||
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SIR5211DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: P-CHANNEL 20 V (D-S) MOSFET POWE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.2A (Ta), 105A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 56.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6700 pF @ 10 V |
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SIR5211DP-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SIR5211DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 105 A, 0.00252 ohm, PowerPAK SO-8S, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 105A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 56.8W Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8S Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00252ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
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SIR5211DP-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SIR5211DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 105 A, 0.00252 ohm, PowerPAK SO-8S, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 105A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 56.8W Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8S Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00252ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |