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SIR424DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
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Description: MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 41.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 10 V
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Technische Details SIR424DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SIR424DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 30 A, 0.0046 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 41.7W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm, SVHC: Lead (19-Jan-2021).
Weitere Produktangebote SIR424DP-T1-GE3 nach Preis ab 0.59 EUR bis 1.48 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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SIR424DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
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SIR424DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 41.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 10 V |
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SIR424DP-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 41.7W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
auf Bestellung 15625 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIR424DP-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 41.7W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
auf Bestellung 15625 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIR424DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
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SIR424DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
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SIR424DP-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 30A; Idm: 70A Mounting: SMD Drain-source voltage: 20V Drain current: 30A On-state resistance: 7.4mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 41.7W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 35nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 70A Case: PowerPAK® SO8 Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SIR424DP-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 30A; Idm: 70A Mounting: SMD Drain-source voltage: 20V Drain current: 30A On-state resistance: 7.4mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 41.7W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 35nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 70A Case: PowerPAK® SO8 |
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