SIR150DP-T1-RE3 Vishay / Siliconix
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Technische Details SIR150DP-T1-RE3 Vishay / Siliconix
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 45V; 110A; Idm: 300A, Mounting: SMD, Case: PowerPAK® SO8, Kind of package: reel; tape, Drain-source voltage: 45V, Drain current: 110A, On-state resistance: 3.97mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 65.7W, Polarisation: unipolar, Gate charge: 70nC, Technology: TrenchFET®, Kind of channel: enhanced, Pulsed drain current: 300A, Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke.
Weitere Produktangebote SIR150DP-T1-RE3 nach Preis ab 1.34 EUR bis 1.5 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||
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SIR150DP-T1-RE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 45V 30.9A/110A PPAK |
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| SIR150DP-T1-RE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 45V; 110A; Idm: 300A Mounting: SMD Case: PowerPAK® SO8 Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 45V Drain current: 110A On-state resistance: 3.97mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 65.7W Polarisation: unipolar Gate charge: 70nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Pulsed drain current: 300A Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
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SIR150DP-T1-RE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 45V 30.9A/110A PPAK |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| SIR150DP-T1-RE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 45V; 110A; Idm: 300A Mounting: SMD Case: PowerPAK® SO8 Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 45V Drain current: 110A On-state resistance: 3.97mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 65.7W Polarisation: unipolar Gate charge: 70nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Pulsed drain current: 300A |
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