SiJ494DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 150V 36.8A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 69.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1070 pF @ 75 V
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
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Technische Details SiJ494DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SIJ494DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 36.8 A, 0.0193 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 36.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 69.4W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: ThunderFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0193ohm, SVHC: No SVHC (19-Jan-2021).
Weitere Produktangebote SiJ494DP-T1-GE3 nach Preis ab 0.78 EUR bis 2.69 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||||
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SIJ494DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 150V 36.8A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R |
auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIJ494DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 150V 36.8A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R |
auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIJ494DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 150V 36.8A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R |
auf Bestellung 5900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIJ494DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 150V 36.8A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R |
auf Bestellung 5900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SiJ494DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFET N-Ch 150V Vds 16.1nC Qg Typ |
auf Bestellung 17970 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SiJ494DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 150V 36.8A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23.2mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 69.4W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1070 pF @ 75 V |
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SIJ494DP-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SIJ494DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 36.8 A, 0.0193 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 36.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 69.4W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: ThunderFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0193ohm SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
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SIJ494DP-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SIJ494DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 36.8 A, 0.0193 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 36.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 69.4W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: ThunderFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0193ohm SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIJ494DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 150V 36.8A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R |
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| SiJ494DP-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 36.8A; Idm: 100A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 36.8A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 69.4W Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 27.2mΩ Mounting: SMD Gate charge: 31nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
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| SiJ494DP-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 36.8A; Idm: 100A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 36.8A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 69.4W Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 27.2mΩ Mounting: SMD Gate charge: 31nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
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