SIHS36N50D-GE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay SiliconixDescription: D SERIES POWER MOSFET SUPER-247,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3233 pF @ 100 V
auf Bestellung 530 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 2+ | 10.31 EUR |
| 30+ | 8.23 EUR |
| 120+ | 7.37 EUR |
| 510+ | 6.5 EUR |
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Technische Details SIHS36N50D-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SIHS36N50D-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 36 A, 0.105 ohm, Super-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 36A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 446W, Bauform - Transistor: Super-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: D, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm, SVHC: Lead (19-Jan-2021).
Weitere Produktangebote SIHS36N50D-GE3 nach Preis ab 5.63 EUR bis 10.4 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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SIHS36N50D-GE3 | Hersteller : Vishay / Siliconix |
MOSFET 500V N-CHANNEL |
auf Bestellung 3273 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIHS36N50D-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SIHS36N50D-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 36 A, 0.105 ohm, Super-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 36A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 446W Bauform - Transistor: Super-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: D productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
auf Bestellung 1501 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIHS36N50D-GE3 | Hersteller : Vishay |
MOSFET N-CHANNEL 500V |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| SIHS36N50D-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 23A; Idm: 112A; 446W; SUPER247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 23A Pulsed drain current: 112A Power dissipation: 446W Case: SUPER247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.13Ω Mounting: THT Gate charge: 125nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| SIHS36N50D-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 23A; Idm: 112A; 446W; SUPER247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 23A Pulsed drain current: 112A Power dissipation: 446W Case: SUPER247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.13Ω Mounting: THT Gate charge: 125nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
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