auf Bestellung 642 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
65+ | 2.37 EUR |
67+ | 2.2 EUR |
100+ | 2.05 EUR |
250+ | 1.91 EUR |
500+ | 1.78 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details SIHP33N60E-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SIHP33N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 33 A, 0.083 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 33A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 278W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083ohm, SVHC: Lead (19-Jan-2021).
Weitere Produktangebote SIHP33N60E-GE3 nach Preis ab 4.77 EUR bis 10.65 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
SIHP33N60E-GE3 | Hersteller : Vishay | Trans MOSFET N-CH 600V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
auf Bestellung 138 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||
SIHP33N60E-GE3 | Hersteller : Vishay / Siliconix | MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220AB |
auf Bestellung 358 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||
SIHP33N60E-GE3 | Hersteller : Vishay | Trans MOSFET N-CH 600V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
||||||||||||||
SIHP33N60E-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SIHP33N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 33 A, 0.083 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 33A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 278W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083ohm SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
auf Bestellung 771 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
||||||||||||||
SIHP33N60E-GE3 | Hersteller : Vishay | Trans MOSFET N-CH 600V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||||||
SIHP33N60E-GE3 | Hersteller : Vishay | Trans MOSFET N-CH 600V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||||||
SIHP33N60E-GE3 | Hersteller : VISHAY | SIHP33N60E-GE3 THT N channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||||||
SIHP33N60E-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 600V 33A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 16.5A, 10V Power Dissipation (Max): 278W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3508 pF @ 100 V |
Produkt ist nicht verfügbar |