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Technische Details SIHP22N60E-GE3 Vishay / Siliconix
Description: VISHAY - SIHP22N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 A, 0.15 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 21A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 227W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm, SVHC: Lead (19-Jan-2021).
Weitere Produktangebote SIHP22N60E-GE3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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SIHP22N60E-GE3 | Hersteller : VISHAY |
 Description: VISHAY - SIHP22N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 A, 0.15 ohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 21A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 227W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
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SIHP22N60E-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
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| SIHP22N60E-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 56A; 227W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 13A Pulsed drain current: 56A Power dissipation: 227W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.18Ω Mounting: THT Gate charge: 86nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SIHP22N60E-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 600V 21A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 227W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 100 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| SIHP22N60E-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 56A; 227W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 13A Pulsed drain current: 56A Power dissipation: 227W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.18Ω Mounting: THT Gate charge: 86nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
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