![SIHP186N60EF-GE3 SIHP186N60EF-GE3](https://www.mouser.com/images/vishay/lrg/TO-220AB-3_DSL.jpg)
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Technische Details SIHP186N60EF-GE3 Vishay Semiconductors
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; Idm: 43A; 156W; TO220AB, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 12A, Pulsed drain current: 43A, Power dissipation: 156W, Case: TO220AB, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 193mΩ, Mounting: THT, Gate charge: 32nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhanced, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote SIHP186N60EF-GE3
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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SIHP186N60EF-GE3 | Hersteller : Vishay |
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SIHP186N60EF-GE3 | Hersteller : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; Idm: 43A; 156W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 12A Pulsed drain current: 43A Power dissipation: 156W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 193mΩ Mounting: THT Gate charge: 32nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SIHP186N60EF-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
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SIHP186N60EF-GE3 | Hersteller : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; Idm: 43A; 156W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 12A Pulsed drain current: 43A Power dissipation: 156W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 193mΩ Mounting: THT Gate charge: 32nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
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