SIHP12N50E-GE3 VISHAY
Hersteller: VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.6A; Idm: 121A; 114W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6.6A
Pulsed drain current: 121A
Power dissipation: 114W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 489 Stücke:
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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Technische Details SIHP12N50E-GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SIHP12N50E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 10.5 A, 0.33 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 114W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: E, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.33ohm, SVHC: Lead (19-Jan-2021).
Weitere Produktangebote SIHP12N50E-GE3 nach Preis ab 1.29 EUR bis 2.94 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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SIHP12N50E-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.6A; Idm: 121A; 114W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 6.6A Pulsed drain current: 121A Power dissipation: 114W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.38Ω Mounting: THT Gate charge: 50nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
auf Bestellung 489 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIHP12N50E-GE3 | Hersteller : Vishay / Siliconix |
MOSFETs 500V Vds 30V Vgs TO-220AB |
auf Bestellung 3746 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIHP12N50E-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 500V 10.5A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 114W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 886 pF @ 100 V |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIHP12N50E-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SIHP12N50E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 10.5 A, 0.33 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 114W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: E productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.33ohm SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
auf Bestellung 1664 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIHP12N50E-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 10.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
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