![SIHP065N60E-GE3 SIHP065N60E-GE3](https://www.mouser.com/images/mouserelectronics/lrg/TO_220_AB_3_SPL.jpg)
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Technische Details SIHP065N60E-GE3 Vishay / Siliconix
Description: VISHAY - SIHP065N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 40 A, 0.057 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: E, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm, SVHC: Lead (19-Jan-2021).
Weitere Produktangebote SIHP065N60E-GE3 nach Preis ab 7.21 EUR bis 11.51 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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SIHP065N60E-GE3 | Hersteller : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 25A; 250W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 25A Power dissipation: 250W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 65mΩ Mounting: THT Gate charge: 98nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SIHP065N60E-GE3 | Hersteller : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 25A; 250W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 25A Power dissipation: 250W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 65mΩ Mounting: THT Gate charge: 98nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
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SIHP065N60E-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 100 V |
auf Bestellung 935 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIHP065N60E-GE3 | Hersteller : VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: E productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
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SIHP065N60E-GE3 | Hersteller : Vishay |
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