![SIHG47N65E-GE3 SIHG47N65E-GE3](https://www.mouser.com/images/mouserelectronics/lrg/TO_247_3_t.jpg)
auf Bestellung 249 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
1+ | 12.74 EUR |
10+ | 10.91 EUR |
25+ | 9.26 EUR |
100+ | 8.41 EUR |
250+ | 8.27 EUR |
500+ | 7.64 EUR |
1000+ | 7.59 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details SIHG47N65E-GE3 Vishay / Siliconix
Description: VISHAY - SIHG47N65E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 47 A, 0.06 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 47A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 417W, Bauform - Transistor: TO-247AC, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: E Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2022).
Weitere Produktangebote SIHG47N65E-GE3 nach Preis ab 9.12 EUR bis 12.76 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
SIHG47N65E-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 24A, 10V Power Dissipation (Max): 417W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 273 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5682 pF @ 100 V |
auf Bestellung 486 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||
![]() |
SIHG47N65E-GE3 | Hersteller : VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 47A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 417W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: E Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||
![]() |
SIHG47N65E-GE3 | Hersteller : Vishay |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||
SIHG47N65E-GE3 | Hersteller : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 30A; Idm: 139A; 417W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 30A Pulsed drain current: 139A Power dissipation: 417W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 72mΩ Mounting: THT Gate charge: 273nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||
SIHG47N65E-GE3 | Hersteller : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 30A; Idm: 139A; 417W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 30A Pulsed drain current: 139A Power dissipation: 417W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 72mΩ Mounting: THT Gate charge: 273nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
Produkt ist nicht verfügbar |