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| 500+ | 3.99 EUR |
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Technische Details SIHG24N65E-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SIHG24N65E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.12 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 24A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250W, Bauform - Transistor: TO-247AC, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm, SVHC: Lead (19-Jan-2021).
Weitere Produktangebote SIHG24N65E-GE3 nach Preis ab 4.02 EUR bis 10.08 EUR
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SIHG24N65E-GE3 | Hersteller : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
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SIHG24N65E-GE3 | Hersteller : Vishay / Siliconix |
MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-247AC |
auf Bestellung 489 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIHG24N65E-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO247AC Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2740 pF @ 100 V |
auf Bestellung 610 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIHG24N65E-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SIHG24N65E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.12 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 24A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
auf Bestellung 2548 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIHG24N65E-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIHG24N65E-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SIHG24N65E-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| SIHG24N65E-GE3 | Hersteller : VISHAY |
SIHG24N65E-GE3 THT N channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |