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SIHG20N50C-E3 VISHAY
![SIHG20N50C-DTE.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; 250W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 11A
Power dissipation: 250W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 263 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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18+ | 4.02 EUR |
20+ | 3.62 EUR |
26+ | 2.77 EUR |
28+ | 2.62 EUR |
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Technische Details SIHG20N50C-E3 VISHAY
Description: VISHAY - SIHG20N50C-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 20 A, 0.225 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 292W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.225ohm, SVHC: Lead (19-Jan-2021).
Weitere Produktangebote SIHG20N50C-E3 nach Preis ab 2.24 EUR bis 5.93 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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SIHG20N50C-E3 | Hersteller : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; 250W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 11A Power dissipation: 250W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.27Ω Mounting: THT Gate charge: 76nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 263 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SIHG20N50C-E3 | Hersteller : Vishay / Siliconix |
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auf Bestellung 7161 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIHG20N50C-E3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2942 pF @ 25 V |
auf Bestellung 7306 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIHG20N50C-E3 | Hersteller : VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 292W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.225ohm SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
auf Bestellung 1648 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIHG20N50C-E3 | Hersteller : Vishay |
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auf Bestellung 38 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIHG20N50C-E3 | Hersteller : Siliconix |
![]() Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 12 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SIHG20N50C-E3 Produktcode: 51442 |
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SIHG20N50C-E3 | Hersteller : Vishay |
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SIHG20N50C-E3 | Hersteller : Vishay |
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SIHG20N50C-E3 | Hersteller : Vishay |
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