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SIHFR9210TR-GE3 Vishay


sihfr921.pdf Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 200V 1.9A T/R
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Technische Details SIHFR9210TR-GE3 Vishay

Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -1.2A; Idm: -7.6A; 25W, Type of transistor: P-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: -200V, Drain current: -1.2A, Pulsed drain current: -7.6A, Power dissipation: 25W, Case: DPAK; TO252, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 3Ω, Mounting: SMD, Gate charge: 8.9nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
SIHFR9210TR-GE3 Hersteller : VISHAY Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -1.2A; Idm: -7.6A; 25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -1.2A
Pulsed drain current: -7.6A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 8.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SIHFR9210TR-GE3 SIHFR9210TR-GE3 Hersteller : Vishay / Siliconix MOSFETs
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SIHFR9210TR-GE3 Hersteller : VISHAY Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -1.2A; Idm: -7.6A; 25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -1.2A
Pulsed drain current: -7.6A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 8.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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