SIHFR220-GE3 Vishay / Siliconix
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Technische Details SIHFR220-GE3 Vishay / Siliconix
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3A; Idm: 19A; 42W; DPAK,TO252, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 200V, Drain current: 3A, Pulsed drain current: 19A, Power dissipation: 42W, Case: DPAK; TO252, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 0.8Ω, Mounting: SMD, Gate charge: 14nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke.
Weitere Produktangebote SIHFR220-GE3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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SIHFR220-GE3 | Hersteller : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 200V 4.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
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SIHFR220-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3A; Idm: 19A; 42W; DPAK,TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 3A Pulsed drain current: 19A Power dissipation: 42W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.8Ω Mounting: SMD Gate charge: 14nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
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SIHFR220-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 200V 4.8A DPAK |
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SIHFR220-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3A; Idm: 19A; 42W; DPAK,TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 3A Pulsed drain current: 19A Power dissipation: 42W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.8Ω Mounting: SMD Gate charge: 14nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
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