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Technische Details SIHFR1N60A-GE3 Vishay
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.98A; 36W; DPAK,TO252, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 0.98A, Power dissipation: 36W, Case: DPAK; TO252, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 7Ω, Mounting: SMD, Gate charge: 14nC, Kind of channel: enhanced, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote SIHFR1N60A-GE3 nach Preis ab 0.52 EUR bis 1.56 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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SIHFR1N60A-GE3 | Hersteller : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.98A; 36W; DPAK,TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 0.98A Power dissipation: 36W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 7Ω Mounting: SMD Gate charge: 14nC Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SIHFR1N60A-GE3 | Hersteller : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.98A; 36W; DPAK,TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 0.98A Power dissipation: 36W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 7Ω Mounting: SMD Gate charge: 14nC Kind of channel: enhanced |
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SIHFR1N60A-GE3 | Hersteller : Vishay |
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SIHFR1N60A-GE3 | Hersteller : Vishay / Siliconix |
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SIHFR1N60A-GE3 | Hersteller : Vishay |
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SIHFR1N60A-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
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