SIHF540S-GE3 Vishay / Siliconix
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| 500+ | 1.43 EUR |
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Technische Details SIHF540S-GE3 Vishay / Siliconix
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 20A; Idm: 110A; 150W, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Case: D2PAK; TO263, Power dissipation: 150W, On-state resistance: 77mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Gate charge: 72nC, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: 110A, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 20A, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote SIHF540S-GE3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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SIHF540S-GE3 | Hersteller : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 100V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SIHF540S-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| SIHF540S-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 20A; Idm: 110A; 150W Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Case: D2PAK; TO263 Power dissipation: 150W On-state resistance: 77mΩ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 72nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 110A Drain-source voltage: 100V Drain current: 20A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SIHF540S-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| SIHF540S-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 20A; Idm: 110A; 150W Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Case: D2PAK; TO263 Power dissipation: 150W On-state resistance: 77mΩ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 72nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 110A Drain-source voltage: 100V Drain current: 20A |
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