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SIHB6N80E-GE3

SIHB6N80E-GE3 Vishay / Siliconix


sihb6n80e.pdf Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs 800V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
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Technische Details SIHB6N80E-GE3 Vishay / Siliconix

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5.4A; Idm: 15A; 78W, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 800V, Drain current: 5.4A, Pulsed drain current: 15A, Power dissipation: 78W, Case: D2PAK; TO263, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 940mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 44nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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SIHB6N80E-GE3 Hersteller : Vishay sihb6n80e.pdf E Series Power MOSFET
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SIHB6N80E-GE3 Hersteller : VISHAY sihb6n80e.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5.4A; Idm: 15A; 78W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 5.4A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 78W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 940mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 44nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SIHB6N80E-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix sihb6n80e.pdf Description: MOSFET N-CH 800V D2PAK TO-263
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SIHB6N80E-GE3 Hersteller : VISHAY sihb6n80e.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5.4A; Idm: 15A; 78W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 5.4A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 78W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 940mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 44nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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