SIHB25N50E-GE3 Vishay / Siliconix
auf Bestellung 2987 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
1+ | 5.72 EUR |
10+ | 4.79 EUR |
25+ | 4.54 EUR |
100+ | 3.87 EUR |
250+ | 3.66 EUR |
500+ | 3.45 EUR |
1000+ | 3.06 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details SIHB25N50E-GE3 Vishay / Siliconix
Description: VISHAY - SIHB25N50E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 26 A, 0.125 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 26A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: E Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm, SVHC: Boric acid (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote SIHB25N50E-GE3 nach Preis ab 2.97 EUR bis 5.74 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
SIHB25N50E-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 500V 26A TO263 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 100 V |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||
SIHB25N50E-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SIHB25N50E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 26 A, 0.125 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 26A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: E Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 996 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
||||||||||||||
SIHB25N50E-GE3 | Hersteller : Vishay | Trans MOSFET N-CH 500V 26A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||||||
SIHB25N50E-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 16A; Idm: 50A; 250W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 16A Pulsed drain current: 50A Power dissipation: 250W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.145Ω Mounting: SMD Gate charge: 86nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||||||
SIHB25N50E-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 16A; Idm: 50A; 250W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 16A Pulsed drain current: 50A Power dissipation: 250W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.145Ω Mounting: SMD Gate charge: 86nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
Produkt ist nicht verfügbar |