SIHA24N80AE-GE3 Vishay / Siliconix
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Technische Details SIHA24N80AE-GE3 Vishay / Siliconix
Description: VISHAY - SIHA24N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 9 A, 0.16 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 35W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: E, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm, SVHC: Lead (19-Jan-2021).
Weitere Produktangebote SIHA24N80AE-GE3 nach Preis ab 3.29 EUR bis 5.46 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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SIHA24N80AE-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 800V 9A TO220Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 184mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 35W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Full Pack Part Status: Active Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1836 pF @ 100 V |
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SIHA24N80AE-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SIHA24N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 9 A, 0.16 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 35W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: E productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
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| SIHA24N80AE-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 800V 9A |
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| SIHA24N80AE-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5A; Idm: 51A; 35W; TO220FP Case: TO220FP Mounting: THT Kind of package: tube Drain-source voltage: 800V Drain current: 5A On-state resistance: 184mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 35W Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 51A Gate charge: 89nC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| SIHA24N80AE-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5A; Idm: 51A; 35W; TO220FP Case: TO220FP Mounting: THT Kind of package: tube Drain-source voltage: 800V Drain current: 5A On-state resistance: 184mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 35W Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 51A Gate charge: 89nC |
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