Technische Details SIB417EDK-T1-GE3
Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -8V; -9A; Idm: -15A; 13W, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Polarisation: unipolar, Gate charge: 12nC, Technology: TrenchFET®, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±5V, Pulsed drain current: -15A, Power dissipation: 13W, Drain-source voltage: -8V, Drain current: -9A, On-state resistance: 0.25Ω, Type of transistor: P-MOSFET, Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke.
Weitere Produktangebote SIB417EDK-T1-GE3
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt |
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SIB417EDK-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
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SIB417EDK-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -8V; -9A; Idm: -15A; 13W Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Gate charge: 12nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±5V Pulsed drain current: -15A Power dissipation: 13W Drain-source voltage: -8V Drain current: -9A On-state resistance: 0.25Ω Type of transistor: P-MOSFET Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
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SIB417EDK-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
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SIB417EDK-T1-GE3 | Hersteller : Vishay / Siliconix |
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SIB417EDK-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -8V; -9A; Idm: -15A; 13W Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Gate charge: 12nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±5V Pulsed drain current: -15A Power dissipation: 13W Drain-source voltage: -8V Drain current: -9A On-state resistance: 0.25Ω Type of transistor: P-MOSFET |
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