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SI9407BDY-T1-GE3

SI9407BDY-T1-GE3 Vishay

si9407bd.pdf Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
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Technische Details SI9407BDY-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI9407BDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 4.7 A, 0.1 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 4.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm, SVHC: No SVHC (15-Jun-2015).

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SI9407BDY-T1-GE3 SI9407BDY-T1-GE3 Hersteller : Vishay si9407bd.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
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SI9407BDY-T1-GE3 SI9407BDY-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix si9407bd.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 4.7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 30 V
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SI9407BDY-T1-GE3 SI9407BDY-T1-GE3 Hersteller : Vishay si9407bd.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
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SI9407BDY-T1-GE3 SI9407BDY-T1-GE3 Hersteller : Vishay si9407bd.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
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SI9407BDY-T1-GE3 SI9407BDY-T1-GE3 Hersteller : VISHAY si9407bd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -4.7A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -4.7A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 2472 Stücke:
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SI9407BDY-T1-GE3 SI9407BDY-T1-GE3 Hersteller : VISHAY si9407bd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.6A; 5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2.6A
Power dissipation: 5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3920 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
57+1.26 EUR
104+ 0.69 EUR
119+ 0.6 EUR
130+ 0.55 EUR
137+ 0.52 EUR
500+ 0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 57
SI9407BDY-T1-GE3 SI9407BDY-T1-GE3 Hersteller : VISHAY si9407bd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.6A; 5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2.6A
Power dissipation: 5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3920 Stücke:
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SI9407BDY-T1-GE3 SI9407BDY-T1-GE3 Hersteller : VISHAY si9407bd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.6A; 5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2.6A
Power dissipation: 5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of channel: enhanced
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SI9407BDY-T1-GE3 SI9407BDY-T1-GE3 Hersteller : Vishay Semiconductors si9407bd.pdf MOSFET -60V Vds 20V Vgs SO-8
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SI9407BDY-T1-GE3 SI9407BDY-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix si9407bd.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 4.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 30 V
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SI9407BDY-T1-GE3 SI9407BDY-T1-GE3 Hersteller : Vishay si9407bd.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
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SI9407BDY-T1-GE3 SI9407BDY-T1-GE3 Hersteller : VISHAY VISH-S-A0002474635-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI9407BDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 4.7 A, 0.1 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 29413 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SI9407BDY-T1-GE3 SI9407BDY-T1-GE3 Hersteller : Vishay si9407bd.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 74 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SI9407BDY-T1-GE3 SI9407BDY-T1-GE3 Hersteller : VISHAY VISH-S-A0002474635-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI9407BDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 4.7 A, 0.1 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 29413 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SI9407BDY-T1-GE3 SI9407BDY-T1-GE3 Hersteller : VISHAY 2049288.pdf Description: VISHAY - SI9407BDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 4.7 A, 0.1 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (15-Jun-2015)
auf Bestellung 7500 Stücke:
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SI9407BDY-T1-GE3 SI9407BDY-T1-GE3 Hersteller : Vishay si9407bd.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
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SI9407BDY-T1-GE3 Hersteller : Vishay si9407bd.pdf P-MOSFET 4.7A 60V 5W 0.12Ω Equivalent SI9407AEY SI9407BDY TSI9407bdy
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
20+1.47 EUR
Mindestbestellmenge: 20
SI9407BDY-T1-GE3 Hersteller : Siliconix si9407bd.pdf P-MOSFET 4.7A 60V 5W 0.12Ω Equivalent SI9407AEY SI9407BDY TSI9407bdy
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
10+2.94 EUR
Mindestbestellmenge: 10
SI9407BDY-T1-GE3 Hersteller : Vishay si9407bd.pdf Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -2,6А; 5Вт; SO8
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SI9407BDY-T1-GE3 SI9407BDY-T1-GE3 Hersteller : Vishay si9407bd.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
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