SI8824EDB-T2-E1 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 2.1A MICROFOOT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA, CSPBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 10 V
auf Bestellung 15000 Stücke:
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
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| 9000+ | 0.15 EUR |
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Technische Details SI8824EDB-T2-E1 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI8824EDB-T2-E1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.9 A, 0.06 ohm, MICRO FOOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 900mW, Bauform - Transistor: MICRO FOOT, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: Trench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote SI8824EDB-T2-E1 nach Preis ab 0.19 EUR bis 0.67 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||
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SI8824EDB-T2-E1 | Hersteller : Vishay / Siliconix |
MOSFET 20V Vds 5V Vgs MICRO FOOT 0.8 x 0.8 |
auf Bestellung 25890 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI8824EDB-T2-E1 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 20V 2.1A MICROFOOT Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-XFBGA, CSPBGA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 1A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA Supplier Device Package: 4-Microfoot Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Vgs (Max): ±5V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 10 V |
auf Bestellung 33328 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI8824EDB-T2-E1 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI8824EDB-T2-E1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.9 A, 0.06 ohm, MICRO FOOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV euEccn: NLR Verlustleistung: 900mW Bauform - Transistor: MICRO FOOT Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 3920 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI8824EDB-T2-E1 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI8824EDB-T2-E1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.9 A, 0.06 ohm, MICRO FOOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV euEccn: NLR Verlustleistung: 900mW Bauform - Transistor: MICRO FOOT Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 3920 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI8824EDB-T2-E1 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 2.9A; Idm: 15A Mounting: SMD Power dissipation: 0.9W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 6nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±5V Pulsed drain current: 15A Drain-source voltage: 20V Drain current: 2.9A On-state resistance: 0.175Ω Type of transistor: N-MOSFET Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| SI8824EDB-T2-E1 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 2.9A; Idm: 15A Mounting: SMD Power dissipation: 0.9W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 6nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±5V Pulsed drain current: 15A Drain-source voltage: 20V Drain current: 2.9A On-state resistance: 0.175Ω Type of transistor: N-MOSFET |
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