SI8424CDB-T1-E1 Vishay Semiconductors
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Technische Details SI8424CDB-T1-E1 Vishay Semiconductors
Description: VISHAY - SI8424CDB-T1-E1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 8 V, 10 A, 0.015 ohm, MICRO FOOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 8V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.7W, Bauform - Transistor: MICRO FOOT, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote SI8424CDB-T1-E1 nach Preis ab 0.37 EUR bis 0.99 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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SI8424CDB-T1-E1 | Hersteller : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 8V 4MICROFOOTPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-UFBGA, WLCSP Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 2.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA Supplier Device Package: 4-Microfoot Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Vgs (Max): ±5V Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 4 V |
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SI8424CDB-T1-E1 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI8424CDB-T1-E1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 8 V, 10 A, 0.015 ohm, MICRO FOOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 8V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV euEccn: NLR Verlustleistung: 2.7W Bauform - Transistor: MICRO FOOT Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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SI8424CDB-T1-E1 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI8424CDB-T1-E1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 8 V, 10 A, 0.015 ohm, MICRO FOOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 8V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV euEccn: NLR Verlustleistung: 2.7W Bauform - Transistor: MICRO FOOT Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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SI8424CDB-T1-E1 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 8V 10A 4-Pin Micro Foot T/R |
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| SI8424CDB-T1-E1 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 8V; 10A; Idm: 25A; 1.8W Mounting: SMD Case: MICROFOOT® 1.6x1.6 Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Power dissipation: 1.8W On-state resistance: 20mΩ Pulsed drain current: 25A Drain current: 10A Polarisation: unipolar Gate charge: 40nC Drain-source voltage: 8V Gate-source voltage: ±5V Type of transistor: N-MOSFET Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SI8424CDB-T1-E1 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 8V 10A 4-Pin Micro Foot T/R |
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SI8424CDB-T1-E1 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 8V 10A 4-Pin Micro Foot T/R |
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SI8424CDB-T1-E1 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 8V 4MICROFOOT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-UFBGA, WLCSP Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 2.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA Supplier Device Package: 4-Microfoot Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Vgs (Max): ±5V Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 4 V |
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| SI8424CDB-T1-E1 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 8V; 10A; Idm: 25A; 1.8W Mounting: SMD Case: MICROFOOT® 1.6x1.6 Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Power dissipation: 1.8W On-state resistance: 20mΩ Pulsed drain current: 25A Drain current: 10A Polarisation: unipolar Gate charge: 40nC Drain-source voltage: 8V Gate-source voltage: ±5V Type of transistor: N-MOSFET |
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