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Technische Details SI7880ADP-T1-E3 Vishay Semiconductors
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 40A; Idm: 70A; 83W, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: TrenchFET®, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 30V, Drain current: 40A, Pulsed drain current: 70A, Power dissipation: 83W, Case: PowerPAK® SO8, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 4mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 125nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke.
Weitere Produktangebote SI7880ADP-T1-E3 nach Preis ab 4.51 EUR bis 7.96 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||
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SI7880ADP-T1-E3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8 |
auf Bestellung 1390 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI7880ADP-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
09+ |
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| SI7880ADP-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 40A; Idm: 70A; 83W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 40A Pulsed drain current: 70A Power dissipation: 83W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 125nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
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SI7880ADP-T1-E3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8 |
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| SI7880ADP-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 40A; Idm: 70A; 83W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 40A Pulsed drain current: 70A Power dissipation: 83W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 125nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
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