SI7852DP-T1-E3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 7.6A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
auf Bestellung 9000 Stücke:
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 3000+ | 1.78 EUR |
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| 9000+ | 1.66 EUR |
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Technische Details SI7852DP-T1-E3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI7852DP-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 7.6 A, 0.0135 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.9W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Weitere Produktangebote SI7852DP-T1-E3 nach Preis ab 1.58 EUR bis 3.96 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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SI7852DP-T1-E3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 80V 7.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
auf Bestellung 5561 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI7852DP-T1-E3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 80V 7.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI7852DP-T1-E3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 80V 7.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
auf Bestellung 5561 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI7852DP-T1-E3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 80V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 |
auf Bestellung 19114 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI7852DP-T1-E3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 80V 7.6A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min) Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V |
auf Bestellung 10225 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI7852DP-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI7852DP-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 7.6 A, 0.0135 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.9W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 10231 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI7852DP-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI7852DP-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 7.6 A, 0.0135 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.9W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 10231 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI7852DP-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
10+ QFN8 |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| SI7852DPT1E3 | Hersteller : VISHAY |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| SI7852DP-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
09+ |
auf Bestellung 5043 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| SI7852DPT1E3 | Hersteller : VISHAY | 10+ SOT23-.. |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| SI7852DP-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
SO-8 |
auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| SI7852DP-T1-E3 | Hersteller : Vishay/S |
08+ DIP |
auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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SI7852DP-T1-E3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 80V 7.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| SI7852DP-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 12.5A; Idm: 50A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 12.5A Pulsed drain current: 50A Power dissipation: 5.2W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 22mΩ Mounting: SMD Gate charge: 41nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SI7852DP-T1-E3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 80V 7.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| SI7852DP-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 12.5A; Idm: 50A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 12.5A Pulsed drain current: 50A Power dissipation: 5.2W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 22mΩ Mounting: SMD Gate charge: 41nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
Produkt ist nicht verfügbar |