SI7804DN-T1-E3 Vishay Siliconix
auf Bestellung 2727 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details SI7804DN-T1-E3 Vishay Siliconix
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 10A; Idm: 40A; 3.5W, Kind of package: reel; tape, Drain-source voltage: 30V, Drain current: 10A, On-state resistance: 30mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 3.5W, Polarisation: unipolar, Gate charge: 13nC, Technology: TrenchFET®, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: 40A, Mounting: SMD, Case: PowerPAK® 1212-8, Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke.
Weitere Produktangebote SI7804DN-T1-E3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
|---|---|---|---|---|---|
| SI7804DN-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
 |
auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
||
| SI7804DN-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
09+ |
auf Bestellung 983 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
||
| SI7804DN-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
2006PB |
auf Bestellung 1018 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
||
| SI7804DN-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 10A; Idm: 40A; 3.5W Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 30V Drain current: 10A On-state resistance: 30mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 3.5W Polarisation: unipolar Gate charge: 13nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 40A Mounting: SMD Case: PowerPAK® 1212-8 Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
||
|
|
SI7804DN-T1-E3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 6.5A PPAK1212-8 |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
 |
SI7804DN-T1-E3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFET RECOMMENDED ALT SIS412DN-T1-GE3 |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
| SI7804DN-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 10A; Idm: 40A; 3.5W Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 30V Drain current: 10A On-state resistance: 30mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 3.5W Polarisation: unipolar Gate charge: 13nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 40A Mounting: SMD Case: PowerPAK® 1212-8 |
Produkt ist nicht verfügbar |