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Technische Details SI7611DN-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI7611DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, TrenchFET, p-Kanal, 40 V, 18 A, 0.021 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 39W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Weitere Produktangebote SI7611DN-T1-GE3 nach Preis ab 0.94 EUR bis 2.59 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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SI7611DN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
 Trans MOSFET P-CH 40V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R |
auf Bestellung 48000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI7611DN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 40V 18A PPAK1212-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 9.3A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 39W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 20 V |
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SI7611DN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 40V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R |
auf Bestellung 48000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI7611DN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 40V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R |
auf Bestellung 24000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI7611DN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 40V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI7611DN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFET -40V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8 |
auf Bestellung 12036 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI7611DN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 40V 18A PPAK1212-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 9.3A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 39W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 20 V |
auf Bestellung 13058 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI7611DN-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI7611DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, TrenchFET, p-Kanal, 40 V, 18 A, 0.021 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 39W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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SI7611DN-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI7611DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, TrenchFET, p-Kanal, 40 V, 18 A, 0.021 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 39W Anzahl der Pins: 8Pins productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm |
auf Bestellung 59221 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI7611DN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 40V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R |
auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI7611DN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 40V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R |
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| SI7611DN-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -18A; Idm: -20A; 25W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -40V Drain current: -18A Pulsed drain current: -20A Power dissipation: 25W Case: PowerPAK® 1212-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 25mΩ Mounting: SMD Gate charge: 62nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
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| SI7611DN-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -18A; Idm: -20A; 25W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -40V Drain current: -18A Pulsed drain current: -20A Power dissipation: 25W Case: PowerPAK® 1212-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 25mΩ Mounting: SMD Gate charge: 62nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
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